ネガティブフォトレジスト材料、及びそれを用いたパターン形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡辺勝 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-328491
公開番号（公開出願番号）：特開2000-147769
出願日： 1998年11月18日
公開日（公表日）： 2000年05月26日
要約：

【要約】【課題】220nm以下の光を用いたリソグラフィー用のフォトレジスト材料において露光光に対して透明性に優れ、かつエッチング耐性、基板密着性に優れたネガティブフォトレジスト材料、及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】一般式(1)で示される重合体、及び露光により酸を発生する光酸発生剤を少なくとも含有することを特徴とする。【化1】(上式において、R<SP>1</SP>、R<SP>2</SP>、R<SP>3</SP>、R<SP>5</SP>は水素原子またはメチル基、R<SP>4</SP>はエポキシ基を有する炭素数3〜13の炭化水素基、R<SP>6</SP>は水素原子またはカルボキシル基を有する炭素数7〜13の有橋環式炭化水素基を表す。またx、y、zはそれぞれx+y+z=1、0<x<1、0<y<1、0<z<1を満たす任意の数である。また重合体の重量平均分子量は2000〜200000)

請求項（抜粋）：

一般式(1)で示される重合体、及び露光により酸を発生する光酸発生剤を少なくとも含有することを特徴とするネガティブフォトレジスト材料。【化1】(上式において、R<SP>1</SP>、R<SP>2</SP>、R<SP>3</SP>、R<SP>5</SP>は水素原子またはメチル基、R<SP>4</SP>はエポキシ基を有する炭素数3〜13の炭化水素基、R<SP>6</SP>は水素原子またはカルボキシル基を有する炭素数7〜13の有橋環式炭化水素基を表す。またx、y、zはそれぞれx+y+z=1、0<x<1、0<y<1、0<z<1を満たす任意の数である。また重合体の重量平均分子量は2000〜200000)

IPC (4件)：

G03F 7/038 601 , G03F 7/004 503 , G03F 7/38 511 , H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 7/038 601 , G03F 7/004 503 A , G03F 7/38 511 , H01L 21/30 502 R

Fターム (20件)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC08 , 2H025AD01 , 2H025BD23 , 2H025BE10 , 2H025CB14 , 2H025CB41 , 2H025CB43 , 2H025CB55 , 2H025CC20 , 2H025FA12 , 2H096AA25 , 2H096AA27 , 2H096BA06 , 2H096EA05 , 2H096FA01 , 2H096GA08

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