特許

J-GLOBAL ID：200903096525909282

薄膜太陽電池の製造方法

発明者： 大木 貴美子 ,  渡辺 隆行 ,  松井 正宏
出願人/特許権者： 旭化成工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-154382
公開番号（公開出願番号）：特開平8-023110
出願日： 1994年07月06日
公開日（公表日）： 1996年01月23日
要約：

【要約】【構成】 カルコパイライト型化合物からなるp型半導体層を成膜後にアンモニア水に浸漬し、その後にn型半導体層を積層する薄膜太陽電池の製造方法。【効果】 カルコパイライト型化合物半導体薄膜を作製した時に生成する異相を、選択的にエッチング除去することができることから、n型半導体層との接合特性が良好で、変換効率の高い薄膜太陽電池を作製することができる。

請求項（抜粋）：

カルコパイライト型化合物からなるp型半導体層を成膜後にアンモニア水に浸漬した後、n型半導体層を積層することを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。