特許

J-GLOBAL ID：200903096531418711

半導体装置の製造方法

発明者： 堀田 勝之 ,  黒井 隆 ,  酒井 舞子
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-014119
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214499
出願日： 1998年01月27日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：

【要約】【課題】 素子分離のためにトレンチ分離を形成する際に、トレンチ分離の表面平坦性を向上させる。【解決手段】 微細なトレンチ開口部に対する絶縁膜の埋め込みにはHDP-CVD法を用い、活性領域となる基板表面に余剰に積層される絶縁膜に対して選択的にドライエッチングしてプリ平坦化を行い、その後CMP法による研磨を行うことで絶縁膜の表面の平坦性を向上させる。トレンチ開口部の開口の際に用いるエッチングマスクをシリコン窒化膜と多結晶シリコン膜との積層構造の膜とし、プリ平坦化の際には多結晶シリコン膜をエッチングストッパとして用い、その後のCMP法による研磨の際にはシリコン窒化膜をエッチングストッパとして余剰な絶縁膜と多結晶シリコン膜を同時に除去する。その後、活性領域となる基板表面を露出させることで、良好な形状のトレンチ分離が得られる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にトレンチ分離領域に相当する抜きパターンを有する第一のマスクパターンを形成する工程、上記半導体基板の上記トレンチ分離領域に対してエッチングを行いトレンチ開口部を形成する工程、上記半導体基板上に絶縁膜を積層し、上記トレンチ開口部内を上記絶縁膜によって埋設する工程、上記トレンチ分離領域に相当する領域上に第二のマスクパターンを形成する工程、上記第二のマスクパターンをエッチングマスクとして上記絶縁膜に対してドライエッチングを行いプリ平坦化する工程、上記第二のマスクパターンを除去し、上記第一のマスクパターンをストッパとしてCMP法によって上記絶縁膜を研磨する工程、上記第一のマスクパターンを除去し、上記半導体基板の表面を露出させ、上記トレンチ分離領域にトレンチ分離を得る工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。