特許
J-GLOBAL ID：200903096535885470
巨大磁気抵抗効果素子を備えた磁界センサおよびその製造方法と製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-204066
公開番号（公開出願番号）：特開2000-035470
出願日： 1998年07月17日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：
【要約】【課題】 本発明の目的は、4つの巨大磁気抵抗効果素子の交換バイアス層の磁化を個々にブリッジ接続型として好ましい方向に確実に制御できるとともに、その制御が容易にできる磁界センサとその製造方法と製造装置の提供を提供することにある。【解決手段】 本発明は、第1の巨大磁気抵抗効果素子31と第2の巨大磁気抵抗効果素子32が第1の直線L1に沿い、ピン止め磁性層cの磁化の向きを一定方向に向けて設けられるとともに、第3の巨大磁気抵抗効果素子33と第4の巨大磁気抵抗効果素子34が前記第1の直線と平行な第2の直線L2に沿い、ピン止め磁性層の磁化の向きを前記第1、第2の巨大磁気抵抗効果素子のピン止め磁性層の磁化の向きと180 ゚反対向きにして設けられてなることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
交換バイアス層と、この交換バイアス層により磁化の方向が一方向に固定されたピン止め磁性層と、非磁性層と、外部磁界によって磁化の方向が回転自在にされたフリー磁性層とを少なくとも具備する巨大磁気抵抗効果素子が複数備えられ、第1の巨大磁気抵抗効果素子と第2の巨大磁気抵抗効果素子が、各々第1の直線に沿い、かつ、各々のピン止め磁性層の磁化の向きを一定方向に向けて設けられるとともに、第3の巨大磁気抵抗効果素子と第4の巨大磁気抵抗効果素子が、各々前記第1の直線と平行な第2の直線に沿い、かつ、各々のピン止め磁性層の磁化の向きを前記第1、第2の巨大磁気抵抗効果素子のピン止め磁性層の磁化の向きと180 ゚反対向きにして設けられてなることを特徴とする巨大磁気抵抗効果素子を備えた磁界センサ。
IPC (3件)：
G01R 33/09
, H01L 43/08
, H01L 43/12
G01R 33/06 R
, H01L 43/08 Z
, H01L 43/12
2G017AA01
, 2G017AB01
, 2G017AB02
, 2G017AC06
, 2G017AD55
, 2G017AD63
, 2G017AD65
, 2G017BA09
