特許

J-GLOBAL ID：200903096536531710

研磨用組成物

発明者： 李 吉 成 ,  李 在 錫 ,  金 碩 珍 ,  李 榮 基 ,  張 斗 遠
出願人/特許権者： 三星綜合化學株式會社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-206841
公開番号（公開出願番号）：特開2000-239653
出願日： 1999年07月21日
公開日（公表日）： 2000年09月05日
要約：

【要約】【課題】 半導体、フォトマスク、グラスディスク及び合成樹脂など各種工業製品の研磨に使用される研磨組成物、特に半導体産業においてデバイスウェーハの表面平坦化の加工に適当な研磨組成物を提供する。【解決手段】 本発明は、脱イオン水30〜99重量%、金属酸化物微粉末0.1〜50重量%及び環状アミン0.01〜20重量%を含有する研磨用組成物で、前記研磨用組成物は、特に半導体デバイスの製造時の層間絶縁膜及び金属配線の研磨に使用する場合、研磨後のウェーハ研磨表面にμ-スクラッチが発生しないので、STIなどのような高度のデバイス形成技術に適用できる。

請求項（抜粋）：

脱イオン水30〜99重量%、金属酸化物微粉末0.1〜50重量%及び環状アミン0.01〜20重量%を含有する研磨用組成物。

IPC (4件)：

C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/304 622

FI (4件)：

C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 M ,  B24B 37/00 H ,  H01L 21/304 622 D

Fターム (5件)：

3C058AA07 ,  3C058AC04 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA17

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開平3-197575
  
• 特開平3-202269
  
• シリコンウエーハの研磨用組成物及び研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-318185   出願人：株式会社フジミインコーポレーテッド
• 特開昭62-030333
  

審査官引用 (4件)

• 特開平3-197575
  
• 特開平3-202269
  
• シリコンウエーハの研磨用組成物及び研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-318185   出願人：株式会社フジミインコーポレーテッド
• 特開昭62-030333