半導体装置及び相補型半導体装置並びにそれらの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-275187
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196495
出願日： 1993年11月04日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：

【要約】【目的】短チャネル効果に強く、高速で高信頼性の半導体装置を提供する。【構成】 L型側壁6下部の高濃度ソース・ドレイン拡散層3の接合深さD1が、L型側壁6の外側の高濃度ソース・ドレイン拡散層3の接合深さD2よりも浅く形成され、かつ低濃度ソース・ドレイン拡散層4の接合深さD3がL型側壁6下部のソース・ドレイン拡散層3の接合深さD1と同等かそれよりも浅く形成されている。このため、従来のオーバラップLDD構造よりもソース・ドレイン拡散層からのポテンシャルのチャネル方向への広がりが効果的に抑えられ、ハーフミクロン領域以下の微細化に問題となるMOSFET特有のVtの低下が効果的に抑制される。

請求項（抜粋）：

第1導電型不純物がドープされた第1導電型領域を含み、かつ、主面を有する半導体基板と、該第1導電型領域に設けられたMOSトランジスタと、を備えた半導体装置であって、該MOSトランジスタは、該第1導電型領域内に形成された第2導電型ソース領域と、該第1導電型領域内に形成され、該第2導電型ソース領域から一定距離だけ離れた第2導電型ドレイン領域と、該第1導電型領域内に形成され、該第2導電型ソース領域と該第2導電型ドレイン領域との間に位置するチャネル領域と、該チャネル領域の両端部に形成され、該第2導電型ソース領域の不純物濃度よりも低い不純物濃度を有する一対の第2導電型不純物拡散層と、該半導体基板の該主面上に形成されたゲート絶縁膜であって、該チャネル領域及び該第2導電型不純物拡散領域を直接に覆っているゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、該ゲート電極の側面に設けられたサイドウォールと、を備えており、該サイドウォールは、該ゲート電極の該側面から基板の該主面に沿って伸びる部分を有する形状を有しており、該第2導電型ソース領域及びドレイン領域は、該サイドウォールの該主面に沿って伸びる部分に覆われている第1部分と、該サイドウォールの該主面に沿って伸びる部分に覆われていない第2部分とを有しており、該第1部分の厚さは該第2部分の厚さよりも薄い、半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/336 , H01L 29/784 , H01L 27/092

FI (2件)：

H01L 29/78 301 L , H01L 27/08 321 E

引用特許：

審査官引用 (16件)

特開平4-112544
特開平2-250331
特開平1-309367

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