特許

J-GLOBAL ID：200903096546021664

薄膜デバイス基板の製造方法

発明者： 木下 智豊 ,  浅野 明彦
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-250963
公開番号（公開出願番号）：特開2003-068995
出願日： 2001年08月22日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：

【要約】【課題】 薄膜デバイス層や実使用基板に損傷を与えることなくかつ短時間で、薄膜デバイス層を製造基板から実使用基板に転写することが可能な薄膜デバイス基板の製造方法を提供する。【解決手段】 製造基板101上に形成された薄膜デバイス層103に、第1の接着剤層105を介して貫通孔aが設けられた中間基板106を貼り合わせる。製造基板101を薄膜デバイス層103から剥離除去する。製造基板101の剥離除去面に実使用基板を貼り合わせる。薬液を用いたウェット処理によって第1の接着剤層105の接着力を弱め、薄膜デバイス層103上から中間基板106を剥離除去し、これによって所望の特性を有する実使用基板上に薄膜デバイス層103を転写してなる薄膜デバイス基板を得る。

請求項（抜粋）：

製造基板上に形成された薄膜デバイス層に、接着剤層を介して貫通孔が設けられた中間基板を貼り合わせる工程と、前記製造基板の少なくとも一部を前記薄膜デバイス層から剥離除去する工程と、前記製造基板の剥離除去面に実使用基板を貼り合わせる工程と、薬液を用いたウェット処理によって前記接着剤層の接着力を弱め、前記薄膜デバイス層上から前記中間基板を剥離除去する工程とを行うことを特徴とする薄膜デバイス基板の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/12 ,  G09F 9/00 338 ,  H01L 21/02

FI (3件)：

H01L 27/12 B ,  G09F 9/00 338 ,  H01L 21/02 B

Fターム (9件)：

5G435AA17 ,  5G435BB05 ,  5G435BB12 ,  5G435CC09 ,  5G435EE34 ,  5G435HH12 ,  5G435HH13 ,  5G435HH14 ,  5G435KK05