特許

J-GLOBAL ID：200903096550059838

半導体装置

発明者： 岡本 裕
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-201468
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053328
出願日： 1992年07月28日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：

【要約】【目的】 多層配線の半導体装置において、一括して形成したコンタクト開口部内の多層配線間のコンタクト部でのコンタクト抵抗の低減化を図る。【構成】 層間絶縁膜32,33,34,35を介して積層された多層の多結晶シリコン配線層37,38,39,42を有し、コンタクト開口部40の内面に臨む所要の複数の配線層39,38,37が接続用配線42Aにより相互接続されてなる半導体装置において、コンタクト開口部40の内面に臨む層間絶縁膜33,34,35を配線層38,39より後退し、突出状態にある配線層38,39の側面、上面、下面に沿って接続用配線42Aを被着して接触表面積を増加するように構成する。

請求項（抜粋）：

層間絶縁膜を介して積層された多層の導電層を有し、コンタクト開口部の内面に臨む所要の複数の上記導体層が接続用導体膜により相互接続されてなる半導体装置において、上記コンタクト開口部の内面に臨む上記層間絶縁膜が上記導体層より後退し、該後退した空間を含んで上記所要の複数の導体層を相互接続する上記接続用導体膜が被着形成されて成る半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/90 ,  H01L 27/11