特許
J-GLOBAL ID：200903096551827570
薄膜電界効果型トランジスタアレイ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-112568
公開番号（公開出願番号）：特開平6-324350
出願日： 1993年05月14日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：
【要約】【目的】信号線と対向電極との容量結合を低減してクロストークを抑止する。【構成】絶縁基板7上に設けた信号線2の上に走査線1を交差させて形成し、逆スタガード型TFTのゲート電極4と走査線1との間およびドレイン電極3と信号線2との間のそれぞれをコンタクトホール6を介して接続する。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に格子状に配置して交差させた走査線および信号線と、前記走査線と信号線の各交点の近傍の前記絶縁基板上に設け且つ前記走査線に接続するゲート電極と、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して設けた島状の半導体膜と、前記半導体膜上に設けて前記信号線と接続するソース電極(又はドレイン電極)および画素電極と接続するドレイン電極(又はソース電極)とを有する逆スタガード型薄膜電界効果トランジスタアレイにおいて、前記信号線が前記ゲート電極と同一層に形成され、前記走査線が前記ソース・ドレイン電極と同一層に形成されたことを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタアレイ。
IPC (3件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/133 500
, H01L 29/784
