特許
J-GLOBAL ID:200903096552407132
MIS型冷陰極電子放出装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鈴江 武彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-147582
公開番号(公開出願番号):特開平5-342995
出願日: 1992年06月08日
公開日(公表日): 1993年12月24日
要約:
【要約】 (修正有)【目的】ホットエレクトロンがゲート絶縁膜とゲート電極を突き抜ける確率を高め、もって冷陰極からの引き出し電流を高める。【構成】基板31に形成されたカソード電極37と、前記基板31上に極薄のゲート絶縁膜34を介して形成された極薄のゲート電極35と、前記カソード電極37と対向して設けられたアノード電極38とを具備し、前記カソード電極37,アノード電極38に電圧を印加することによりゲート絶縁膜34からアノード電極38へ電子を放出させるMIS型冷陰極電子放出装置において、前記基板31上に高抵抗層32を介して前記ゲート絶縁膜34とゲート電極35を設ける。
請求項(抜粋):
基板に形成されたカソード電極と、前記基板上に極薄のゲート絶縁膜を介して形成された極薄のゲート電極と、前記カソード電極と対向して設けられたアノード電極とを具備し、前記カソード電極,アノード電極に電圧を印加することによりゲート絶縁膜からアノード電極へ電子を放出させるMIS型冷陰極電子放出装置において、前記基板上に高抵抗層を介して前記ゲート絶縁膜とゲート電極を設けたことを特徴とするMIS型冷陰極電子放出装置。
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