半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：恩田博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-211492
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078671
出願日： 1994年09月05日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】接合の深さ及び不純物濃度勾配を制御することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【構成】シリコン酸化膜5の上から基板1にヒ素をイオン注入してヒ素の注入領域6を形成し、次に、熱処理を行って注入したヒ素イオンを活性化させることで、電界緩和層としての低濃度のn- 領域9を形成する。ヒ素のイオン散乱の分散はシリコン酸化膜5によって増大されるため、ヒ素の注入領域6における不純物の分布はピークが低く分散が大きな状態になる。従って、n- 領域9における不純物濃度プロファイルはイオン注入後の状態からほとんど変化せず、ヒ素のイオン注入条件を変更するだけで、n- 領域9の接合の深さと不純物濃度勾配とを制御することができる。

請求項（抜粋）：