特許

J-GLOBAL ID：200903096554860004

半導体装置の製造方法

発明者： 佐藤 伸良 ,  皷谷 昭彦
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-198363
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058099
出願日： 1993年08月10日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 サブミクロンデバイスの熱酸化膜上に有効であり、優れた膜質(膜中の水分が少ない)を有する絶縁膜の形成方法を提供する。【構成】 シリコン基板11に形成された熱酸化膜12の上部にTEOS(テトラエチルオルトシリケート)ガスとO3 (オゾン)ガスとを原料ガスとして常圧CVDにより絶縁膜15を形成するために、TEOSガスとO3 ガスが3:5〜1:2の容量比とし、その後500°C以上の熱処理を行って膜質を向上させる。これにより、ステップカバレッジに優れ、不純物を含まないのでゲート酸化膜を突き抜けてトランジスタの特性を悪化させることはない。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成された熱酸化膜の上部に常圧CVDにて絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法において、原料ガスとしてTEOS(テトラエチルオルトシリケート)ガスとO3 (オゾン)ガスを用い、前記原料ガスにおけるTEOSガスとO3 ガスの容量比が3:5〜1:2であることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31