特許
J-GLOBAL ID:200903096558393672

セラミツク多層配線基板の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小鍜治 明 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-231575
公開番号(公開出願番号):特開平5-075262
出願日: 1991年09月11日
公開日(公表日): 1993年03月26日
要約:
【要約】【目的】 本発明はセラミック多層基板の製造に関するものであり、配線パターンを絶縁層中に埋設した構造の転写シートを転写,積層する工法で、焼成後のセラミック多層基板を分割する工程での不良発生を低減し、破断部でのマイクロクラック発生による信頼性低下のないセラミック多層基板の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 ベースフィルム11上に配線層12を印刷形成し、その上から絶縁層13を印刷して配線層12を埋設し、次に貫通孔を設け、さらに分割用の分割溝を設けて転写シートとする。この転写シートを用いて転写,積層,ビアフィルを繰り返し行って積層体を作成し、これを熱処理の後、前記分割溝に沿って分割を行うことにより、分割不良や信頼性の低下を防止することができる。
請求項(抜粋):
ベースフィルム上に複数個の配線パターンを設け、この配線パターンを覆うようにベースフィルム上に絶縁ペーストを印刷し乾燥して絶縁層を形成した後に、前記絶縁層上に前記配線パターンを個々の要素に分割するための分割溝を形成して転写シートを構成し、耐熱性基板上に前記転写シートをのせてベースフィルムを剥離する工程を繰り返して配線パターン及び絶縁層からなる積層体を耐熱性基板上に形成し、さらにこの積層体に熱処理を施して焼結させた後に前記分割溝に沿って分割することを特徴とするセラミック多層配線基板の製造方法。

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