超伝導スイッチング素子

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-121765
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280627
出願日： 2001年03月15日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】超高速のスイッチング動作が可能な超伝導4端子素子を実現する。【解決手段】接合に寄生する静電容量(電子分極)を取り除くために、誘電体障壁を用いないで電子の流れが制御できるS-N-S接合を用いて4端子素子を構成し、超伝導層ごとのスピン交換相関作用が最大になるように、超伝導層と常伝導層の厚みを最適化することにより、常伝導層を、あたかも絶縁体を配置したように機能させ、半導体超格子と同様に、ブロッホ共鳴を発生させ、ゲート層に印加する電流、ないしは、電圧によって、共鳴状態を変調してスイッチ動作を行う。

請求項（抜粋）：

(1)超伝導体(A層)、常磁性常伝導体(B層)を交互に積層させたスイッチ素子。(2)A層のみに端子を設けたスイッチ素子。(3)B層の常磁性常伝導体の代わりに、超伝導体を用いたスイッチ素子。(4)A層を、図3に示すとおり、順番にソース層、ゲート層、ドレイン層と名付け、ソース層とドレイン層の間のBroch共鳴をゲート層に印加する、電流、または、電圧によって変調し、スイッチ動作を行う素子。(5)項目4の装置を複数回、積層させた素子。(6)A層とB層の間に別の金属を挿入した素子。

IPC (2件)：

H01L 39/00 ZAA , H01L 29/66

FI (2件)：

H01L 39/00 ZAA Z , H01L 29/66 M

Fターム (7件)：

4M113AA04 , 4M113AA14 , 4M113AA29 , 4M113AB01 , 4M113AB11 , 4M113AB15 , 4M113CA13

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