特許
J-GLOBAL ID：200903096560005094
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-256675
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107188
出願日： 1996年09月27日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：
【要約】【課題】 従来の配線基板を用いた半導体装置では、半導体素子の発熱による悪影響の抑制・小型化・薄型化・高密度化・高速信号処理に対応した高機能化・低コスト化の要求に十分に応えられなかった。【解決手段】 ガラスセラミックスから成る配線基板1の表面の凹部1aに、凹部1aの開口寸法とほぼ同じ寸法の高熱伝導材料から成る補助配線基板3に金属バンプ8を介して接続された半導体素子4を収容して成り、凹部1aの底面から配線基板1の裏面にかけて複数個の熱伝導部材5が埋設され、半導体素子4の裏面が凹部1aの底面にロウ付けされている半導体装置である。これにより、半導体素子4からの発熱を効率良く放熱させることができ、小型・高信頼性・高機能・低コストの半導体装置を提供できる。
請求項（抜粋）：
ガラスセラミックスから成り、表面に凹部を有する配線基板と、前記凹部の開口寸法とほぼ同じ寸法の高熱伝導材料から成る補助配線基板と、該補助配線基板の表面の電極に金属バンプを介して電気的に接続された半導体素子とから成り、前記配線基板は凹部の開口周辺に段差部を有するとともに凹部底面から裏面にかけて複数個の熱伝導部材が埋設されており、前記半導体素子の裏面を前記凹部の底面にロウ付けするとともに前記補助配線基板を前記凹部の段差部に封止材を介して接合させたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/32 D
, H01L 25/00 B
