特許
J-GLOBAL ID：200903096561311180
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-329698
公開番号（公開出願番号）：特開平11-224947
出願日： 1998年11月19日
公開日（公表日）： 1999年08月17日
要約：
【要約】【課題】しきい値電圧のばらつきを防止できるメタルゲート電極を用いたMOSトランジスタを実現すること。【解決手段】ゲート絶縁膜2上に結晶粒径が30nm以下のメタルゲート電極3を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体領域と、この半導体領域の表面に設けられたゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に設けられ、該ゲート絶縁膜と接する部分が金属を含み、かつ前記部分の平均の結晶粒径が30nm以下である第1のゲート電極とを具備してなることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/78
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 29/43
, H01L 21/336
H01L 29/78 301 G
, H01L 27/04 C
, H01L 29/46 A
, H01L 29/78 301 P
