薄膜トランジスタおよびその保護絶縁膜の成膜方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-351759
公開番号（公開出願番号）：特開平5-167075
出願日： 1991年12月16日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：

【要約】【目的】製造過程において下部電極および下部配線が数百°Cに加熱される回数を少なくして、前記下部電極および下部配線を高融点金属の含有量が少ないAl系合金で形成してもヒロックが発生しないようにする。【構成】保護絶縁膜10を、低温で成膜した窒化シリコン膜とした。

請求項（抜粋）：

表面を保護絶縁膜で覆った薄膜トランジスタにおいて、前記保護絶縁膜を、低温で成膜した窒化シリコン膜としたことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (6件)：

H01L 29/784 , C23C 16/34 , H01L 21/31 , H01L 21/318 , H01L 21/3205 , H01L 29/40

FI (2件)：

H01L 29/78 311 N , H01L 21/88 N

引用特許：

審査官引用 (2件)

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