特許
J-GLOBAL ID：200903096565827025
シリコンウェーハの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
桑井 清一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-077578
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021035
出願日： 1993年03月11日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】【目的】 酸化膜の絶縁破壊などの電気特性の向上したシリコンウェーハについてその製造方法を提供する。【構成】 鏡面仕上げを施したシリコンウェーハの表面をSC1液で洗浄して、その厚さ方向に20nm以上エッチングする。これらの洗浄したシリコンウェーハにMOSキャパシタをそれぞれ形成し、これらのMOSキャパシタの酸化膜絶縁破壊耐圧の特性をそれぞれ測定する。20nm未満の場合に比べて耐圧は向上している。
請求項（抜粋）：
鏡面仕上げを施したシリコンウェーハの表面を、その厚さ方向に20nm以上100nm以下エッチングすることを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/304
, H01L 21/306
