特許
J-GLOBAL ID：200903096567684450
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-155219
公開番号（公開出願番号）：特開平11-003935
出願日： 1997年06月12日
公開日（公表日）： 1999年01月06日
要約：
【要約】【課題】 分離絶縁膜に窪みが形成されることを抑制可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板1のトレンチ2内からシリコン基板1上に突出するように分離絶縁膜4を形成する。この分離絶縁膜4の突出部4aを窒化することにより窒化部6を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板に形成された素子を分離する分離絶縁膜を備えた半導体装置であって、前記分離絶縁膜は、前記半導体基板上に突出する突出部を有し、該突出部は変質部を含み、同一条件下での前記変質部のエッチング速度と、前記変質部以外の前記分離絶縁膜内の部分のエッチング速度とは異なる、半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/76 L
, H01L 29/78 301 H
