特許

J-GLOBAL ID：200903096568002973

アルミナ膜形成方法およびそれを用いた薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 小杉 清久 ,  渡部 純一 ,  五十嵐 誠 ,  代木 育夫
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-226178
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086269
出願日： 1993年09月10日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【目的】 本発明の目的は、パーティクルの少ないアルミナ膜を形成することのできるアルミナ膜形成方法およびそれを用いた薄膜トランジスタの製造方法を提供することである。【構成】 アルミナ膜を形成する基板を、アルミニウムを含む有機金属ガスと酸化性原料ガスとに交互に曝して、該基板上にアルミナ膜を形成するアルミナ膜形成方法において、該酸化性原料ガスとして、オキシド系有機物質を用いることを特徴とする。また、前記オキシド系有機物質は、エチレンオキシドであってもよい。

請求項（抜粋）：

アルミナ膜を形成する基板を、アルミニウムを含む有機金属ガスと酸化性原料ガスとに交互に曝して、該基板上にアルミナ膜を形成するアルミナ膜形成方法において、該酸化性原料ガスとして、オキシド系有機物質を用いることを特徴とするアルミナ膜形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/314 ,  H01L 29/786