特許

J-GLOBAL ID：200903096570914793

化合物、高分子化合物、ポジ型レジスト組成物、およびレジストパターン形成方法

発明者： 緒方 寿幸 ,  松丸 省吾 ,  羽田 英夫
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (5件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-182299
公開番号（公開出願番号）：特開2006-001907
出願日： 2004年06月21日
公開日（公表日）： 2006年01月05日
要約：

【課題】 優れた解像性を有するとともに、発生する酸の強度が弱い酸発生剤を用いても良好にレジストパターンを解像できるポジ型レジスト組成物を提供する。【解決手段】下記一般式(II)で表される構成単位(a1)を有する高分子化合物、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するポジ型レジスト組成物。【化1】(式中、R1は水素原子又は低級アルキル基である。R3は炭素原子数1〜15のアルキル基又は脂肪族環式基であって、エーテル結合、水酸基、カルボニル基、エステル基、およびアミノ基からなる群から選ばれる1種以上の置換基を有していてもよい。n2は0又は1〜3の整数を表す。)【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(I)で表される化合物。

IPC (5件)：

C07C 69/757 ,  C08F 20/28 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

C07C69/757 Z ,  C08F20/28 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R

Fターム (31件)：

2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB55 ,  2H025CC20 ,  2H025FA12 ,  4H006AA01 ,  4H006AB46 ,  4H006AB92 ,  4H006KA05 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100BA02P ,  4J100BA03P ,  4J100BA15P ,  4J100BC07P ,  4J100BC07Q ,  4J100BC09P ,  4J100BC53P ,  4J100BC53Q ,  4J100BC73P ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開平4-211258号公報
  
• 特許第2856116号公報