特許
J-GLOBAL ID：200903096577556990

窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法

発明者：
松村 拓明

松村 拓明 について

, 
柳本 友弥

柳本 友弥 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (2件)： 豊栖 康弘 ,  石井 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-184812
公開番号（公開出願番号）：特開2005-019835
出願日： 2003年06月27日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：
【課題】ストライプ状の開口部を備えた電流狭窄層を有する窒化ガリウム系化合物半導体レーザにおいて、安定した素子特性を得ることができる素子構造を提供すること。【解決手段】窒化ガリウム系化合物半導体から成る活性層のp側又はn側に、(a)Alを含みかつ電流狭窄層30よりもAl比率の小さな窒化ガリウム系化合物半導体から成る第1の半導体層22と、(b)第1の半導体層22の上に形成された、第1の半導体層22よりもAl比率の小さな窒化ガリウム系化合物半導体から成る第2の半導体層24と、(c)InxAlyGa1-x-yN(0≦x≦0.1,0.5≦y≦1、0.5≦x+y≦1)から成り、ストライプ状の開口部を有する電流狭窄層を形成し、第2の半導体層24をエッチバックによって電流狭窄層30の開口部32から除去する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
n側半導体層、活性層、p側半導体層からなる積層体の内部に、InxAlyGa1-x-yN(0≦x≦0.1,0.5≦y≦1、0.5≦x+y≦1)から成り、ストライプ状の開口部を有する電流狭窄層を備え、前記電流狭窄層及び前記開口部の上に半導体層が形成された窒化物半導体レーザ素子であって、 前記電流狭窄層は、 Alを含む第1の半導体層と、 該第1の半導体層上に積層され、Alを含まない若しくは前記電流狭窄層よりもAl混晶比が小さな第2の半導体層の上に形成されてなり、 前記第2の半導体層は、前記電流狭窄層の開口部において部分的に除去されていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (1件)：
H01S5/343
FI (1件)：
H01S5/343 610
Fターム (14件)：
5F073AA07 ,  5F073AA46 ,  5F073AA53 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073DA25 ,  5F073EA16 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (10件)
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