特許
J-GLOBAL ID：200903096589625628
半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-049834
公開番号（公開出願番号）：特開平10-233557
出願日： 1997年02月18日
公開日（公表日）： 1998年09月02日
要約：
【要約】【課題】本発明は長波長帯レーザーを発光する信頼性の良好な半導体発光素子を提供する。【解決手段】半導体発光素子1は、n型GaAs基板2上に、発振波長1.3μmの1/4の光学距離に対応した膜厚でn型GaAsとn型AlAsが交互に積層されたn型半導体多層膜反射鏡3、n型GaInPクラッド層4とp型GaInPクラッド層5に挟まれたアンドープInGaNAs活性層6及びp型GaAsコンタクト層7が順次結晶成長により形成され、コンタクト層7の表面に、波長1.3μmの1/4の光学距離に対応した膜厚でSiO2 とα-Siを交互に積層した多層膜反射鏡8が形成されている。多層膜反射鏡8は、その中央部を円柱状に残してエッチング処理され、その後、水素イオンが注入されて、高抵抗領域9が形成されている。
請求項（抜粋）：
第1導電型GaAs基板と、光学波長の1/4の厚さでAl<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>As(0≦x<1)とAl<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>As(x<y≦1)が交互に積層された第1導電型の下部半導体多層膜反射鏡と、前記基板と格子整合する第1導電型クラッド層と第2導電型クラッド層に挟まれたIn<SB>a</SB>Ga<SB>1-a</SB>N<SB>b</SB>As<SB>1-b-c</SB>P<SB>c </SB>(0≦a<1、0<b<1、0≦c<1)活性層と、光学波長の1/4の厚さで屈折率の異なる2種類の誘電体が交互に積層された上部誘電体多層膜反射鏡と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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