特許

J-GLOBAL ID：200903096589625628

半導体発光素子

発明者： 高橋 孝志
出願人/特許権者： 株式会社リコー
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-049834
公開番号（公開出願番号）：特開平10-233557
出願日： 1997年02月18日
公開日（公表日）： 1998年09月02日
要約：

【要約】【課題】本発明は長波長帯レーザーを発光する信頼性の良好な半導体発光素子を提供する。【解決手段】半導体発光素子1は、n型GaAs基板2上に、発振波長1.3μmの1/4の光学距離に対応した膜厚でn型GaAsとn型AlAsが交互に積層されたn型半導体多層膜反射鏡3、n型GaInPクラッド層4とp型GaInPクラッド層5に挟まれたアンドープInGaNAs活性層6及びp型GaAsコンタクト層7が順次結晶成長により形成され、コンタクト層7の表面に、波長1.3μmの1/4の光学距離に対応した膜厚でSiO2 とα-Siを交互に積層した多層膜反射鏡8が形成されている。多層膜反射鏡8は、その中央部を円柱状に残してエッチング処理され、その後、水素イオンが注入されて、高抵抗領域9が形成されている。

請求項（抜粋）：

第1導電型GaAs基板と、光学波長の1/4の厚さでAlxGa1-xAs(0≦x<1)とAlyGa1-yAs(xaGa1-aNbAs1-b-cPc (0≦a<1、0 IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 B