特許

J-GLOBAL ID：200903096593267094

半導体装置

発明者： 大川 和彦
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-122702
公開番号（公開出願番号）：特開平10-313113
出願日： 1997年05月13日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：

【要約】【課題】ゲート電極側壁(サイドウオール)絶縁膜を有するLDD構造の半導体装置において、製造工程および占有面積を増加させることなく静電気耐圧(ESD)を向上させる。【解決手段】同一トランジスタ内において、ドレイン領域の一部分のみ低濃度不純物拡散領域が形成されない領域110を持つ構造とする。MOSFETのA-A’断面においては、ソ-ス領域102は低濃度不純物拡散領域108と高濃度不純物拡散領域107から構成されているが、ドレイン領域101は高濃度不純物拡散領域のみから構成されている。これに対しB-B’断面においては、ソ-ス領域102、ドレイン領域101ともに低濃度不純物拡散領域と高濃度不純物拡散領域から構成されている。【効果】低電圧で雪崩降伏現象を発生させることが可能となる。

請求項（抜粋）：

ゲート電極に側壁絶縁膜を有するMOS型半導体装置において、入出力パッドに金属配線層により電気的に接続されたMOSFETのソ-ス/ドレイン領域のゲ-ト電極側壁絶縁膜下の一部は低濃度不純物拡散領域が形成されないことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336