特許
J-GLOBAL ID：200903096593848941
Ta2O5水素イオン感知膜を有する感イオン電界効果トランジスターの製造法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
蔦田 璋子 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-330489
公開番号（公開出願番号）：特開平5-107224
出願日： 1991年12月13日
公開日（公表日）： 1993年04月27日
要約：
【要約】【目的】 高い感度と安定した動作特性とを有しウェーファー単位工程が採用することができて素子の生産性及び安定性が大きく改善されたTa2O5水素イオン感知膜を有する感イオン電界効果トランジスタ-(ISFET)の製造方法を提供する。【構成】 公知の方法で製造されるpH-ISFETのSi3N4/SiO2ゲート絶縁膜上にRF反応性スパッタリング法によりTa2O5膜を400〜500オングストローム程度で形成した後これを375〜450°C、ほぼ1時間、酸素雰囲気の条件で熱処理する過程により成り、前記Ta2O5膜を形成する方法で、陽性感光膜を利用したリフトーオフ法でpH-ISFETのゲート領域以外の部分に形成されるTa2O5膜を除去することができる。
請求項（抜粋）：
通常のpH-ISFETのSi3N4/SiO2ゲート絶縁膜上にRF反応性スパッタリング法により400〜500オングストローム程度のTa2O5膜を形成して、これを375-450°C、ほぼ1時間、酸素雰囲気の条件で熱処理することを特徴とするTa2O5水素イオン感知膜を有する感イオン電界効果トランジスターの製造法。
IPC (2件)：
G01N 27/414
, H01L 29/784
G01N 27/30 301 E
, H01L 29/78 301 U
