半導体レーザおよびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-178077
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029700
出願日： 1991年07月18日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：

【要約】【目的】 AlGaInPなどの材料で構成され横モードが制御された半導体レーザの非点隔差を小さくし、発振しきい値を低くする。【構成】 n型GaAs基板上101にn型AlGaInPクラッド層102、ストライプ状に圧縮歪を有するGaInP活性層104およびp型AlGaInPクラッド層106が形成されている。

請求項（抜粋）：