特許

J-GLOBAL ID：200903096600574445

半導体製造・検査装置

発明者： 伊藤 淳
出願人/特許権者： イビデン株式会社
代理人 (1件)： 安富 康男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-136199
公開番号（公開出願番号）：特開2001-319964
出願日： 2000年05月09日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：

【要約】【課題】 セラミック基板の温度を上げても、支持容器に嵌め込まれたセラミック基板が傾くことがなく、被加熱物を均一に加熱することができ、被加熱物に種々の処理を適切に施すことができる半導体製造・検査装置を提供する。【解決手段】 1または2以上の回路からなる抵抗発熱体が設けられたセラミック基板と、略円筒形状の外枠部および前記外枠部の内側上部に設けられた円環形状の基板受け部を含んで構成される支持容器と、上面の一部に複数の切り欠き部を有する断熱リングとからなり、前記断熱リングを介して前記セラミック基板が前記支持容器に嵌め込まれていることを特徴とする半導体製造・検査装置。

請求項（抜粋）：

1または2以上の回路からなる抵抗発熱体が設けられたセラミック基板と、略円筒形状の外枠部および前記外枠部の内側上部に設けられた円環形状の基板受け部を含んで構成される支持容器と、上面の一部に複数の切り欠き部を有する断熱リングとからなり、前記断熱リングを介して前記セラミック基板が前記支持容器に嵌め込まれていることを特徴とする半導体製造・検査装置。

IPC (6件)：

H01L 21/68 ,  G01R 1/06 ,  G01R 31/26 ,  G01R 31/28 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/66

FI (7件)：

H01L 21/68 N ,  H01L 21/68 R ,  G01R 1/06 E ,  G01R 31/26 H ,  H01L 21/66 B ,  G01R 31/28 K ,  H01L 21/302 B

Fターム (37件)：

2G003AA10 ,  2G003AC01 ,  2G003AC03 ,  2G003AD02 ,  2G003AD03 ,  2G003AG03 ,  2G003AG04 ,  2G011AA10 ,  2G011AA16 ,  2G011AB10 ,  2G011AD01 ,  2G011AE03 ,  2G011AF07 ,  2G032AB02 ,  2G032AB13 ,  2G032AF02 ,  4M106AA01 ,  4M106BA01 ,  4M106BA14 ,  4M106DJ02 ,  5F004BB22 ,  5F031CA02 ,  5F031HA02 ,  5F031HA03 ,  5F031HA08 ,  5F031HA18 ,  5F031HA37 ,  5F031HA38 ,  5F031JA46 ,  5F031MA27 ,  5F031MA33 ,  5F031NA04 ,  9A001BZ05 ,  9A001KK54 ,  9A001KZ17 ,  9A001KZ31 ,  9A001LZ05