特許
J-GLOBAL ID：200903096606317398
化合物半導体気相成長用基板ホルダおよび化合物半導体気相成長装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-095727
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310438
出願日： 1993年04月22日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：
【要約】【目的】 InGaAsP系混晶組成の面内分布を小さくし、かつ混晶組成や組成分布形状の成長毎のばらつきを小さくする。また、各ウエハ基板面内において結晶の膜厚,組成,キャリア濃度が高均一な高速回転型MOCVD装置を得る。【構成】 モリブデン製基板ホルダ1の材料ガスが接する部分に、平坦性の優れたGaAs多結晶膜2、及びInP多結晶膜3を形成することにより、基板ホルダ1表面の放射率を基板の放射率に近い値で安定させることができる。【効果】 組成分布や再現性が向上できるため、長波長レーザダイオードの作成歩留りを高くでき、生産性が向上できる。
請求項（抜粋）：
化合物半導体結晶基板(以下ウエハ基板と称す)を保持し、表面側より材料ガスが供給され、裏面側よりヒータの熱輻射によって加熱される化合物半導体気相成長用のモリブデン製の基板ホルダにおいて、エピタキシャル成長温度575°C以上でGaAs多結晶を、その材料ガスが接する該ウエハ基板のモリブデンの表面上に厚さ0.3μm以上に成長し、かつその上に上記成長温度575°C以上でInP多結晶を、厚さ0.3μm以上に成長してなることを特徴とする化合物半導体気相成長用基板ホルダ。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 21/68
, H01S 3/18
