特許
J-GLOBAL ID：200903096609971250
高周波回路基板
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
湯浅 恭三 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-256624
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112710
出願日： 1992年09月25日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：
【要約】【目的】 小型で、設計及び製造が簡単で、信頼性の高い高周波回路基板を提供する。【構成】 内層に分布定数回路を構成するストリップライン6が形成された多層の高誘電率セラミック基板10aの下面に端子電極及び接地電極4を形成し、基板10aの上面に一面接地電極14を形成し、更にその上面に低誘電率のガラス層11をペースト状にして塗布し焼成して形成し、ガラス層11の上面に配線及び部品実装ランド12を形成して高周波回路基板を構成する。ストリップライン6からの出力は、一面接地電極14及びガラス層11に設けられたスルーホールの端子13を介して上部配線及び部品実装ランドに供給される。高誘電率の基板にストリップラインを内層しているので、基板を小型にすることができ、低誘電率のガラス層を介在させて配線及び部品実装ランドを形成しているので、浮遊容量が減少し信頼性が向上する。ガラス層はペースト状にして塗布し焼成できるので、製造が簡単になる。
請求項（抜粋）：
高周波回路を構成する電子部品を実装するための高周波回路基板において、内層に分布定数回路が形成された多層の高誘電率基板と、上記基板の下面に形成された端子電極及び接地電極と、上記基板の上面に形成された一面接地電極と、上記一面接地電極の上面に形成された低誘電率のガラス層と、上記ガラス層の上面に形成された配線及び部品実装ランドとから構成されていることを特徴とする高周波回路基板。
IPC (4件)：
H01P 7/08
, H01P 3/08
, H01P 11/00
, H05K 3/46
