半導体単結晶引き上げ装置の黒鉛るつぼおよびるつぼのハンドリング方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-347657
公開番号（公開出願番号）：特開平9-165290
出願日： 1995年12月15日
公開日（公表日）： 1997年06月24日
要約：

【要約】【課題】 CZ法による半導体単結晶引き上げ装置に対する大容量、大重量の黒鉛るつぼの搬入、搬出を、安全かつ迅速に行うことができるようにする。【解決手段】 2分割された黒鉛るつぼ1の上端面に複数個のネジ穴を設け、ボルト21を用いて炭素繊維強化炭素複合材からなるリング13を締着して黒鉛るつぼ1を拘束する。黒鉛るつぼ1に石英るつぼ22を収納し、石英るつぼ22に多結晶シリコン23を装填した後、カバー17を用いて石英るつぼ22の上面を被覆し、石英るつぼ内を減圧する。前記リング13の突出部に掛止した搬入用吊り具24によって黒鉛るつぼ1を釣支し、半導体単結晶引き上げ装置に搬入、設置する。半導体単結晶を引き上げた後、黒鉛るつぼを搬出する際は、黒鉛るつぼ1の分割面2近傍に設けた少なくとも2個ずつのネジ穴に吊りボルトを螺合した上、前記吊りボルトに掛止した吊り具によって黒鉛るつぼを釣支する。

請求項（抜粋）：

CZ法による半導体単結晶引き上げに用いる2分割された黒鉛るつぼにおいて、上端部分に複数個のネジ穴を備え、これらのネジ穴のうち少なくとも2個ずつのネジ穴を、2分割された黒鉛るつぼのそれぞれの重心を通って分割面に平行な平面よりも分割面に近寄った位置に設けたことを特徴とする半導体単結晶引き上げ装置の黒鉛るつぼ。

IPC (2件)：

C30B 15/10 , C30B 29/06 502

FI (2件)：

C30B 15/10 , C30B 29/06 502 B

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