特許

J-GLOBAL ID：200903096617535176

薄膜形成方法及び装置

発明者： 遠藤 和彦 ,  辰巳 徹
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-264177
公開番号（公開出願番号）：特開平9-111455
出願日： 1995年10月12日
公開日（公表日）： 1997年04月28日
要約：

【要約】【課題】水素、フッ素あるいはシリコンを含有していてもよい非晶質炭素薄膜をプラズマ化学気相成長法で成膜する際に、反応室内部への付着物の堆積を防止し、内壁に堆積した付着物を除去するための操作を不要にする。【解決手段】原料ガスとして炭化水素やフッ化炭素を使用し、ヒータ23によって反応室の内壁を200°C以上に保ち、プラズマにより励起された活性種の内壁への付着確率を0にして、反応室内壁への付着物(反応生成物)の堆積を防止する。あるいは、反応室に直流または高周波のバイアス電圧を印加し、反応室の内壁に付着した膜が、非晶質炭素薄膜の成膜中にエッチングないしスパッタリング除去されるようにする。

請求項（抜粋）：

非晶質炭素薄膜をプラズマ化学気相成長法によって形成する薄膜形成方法において、原料ガスとして炭化水素及び/またはフッ化炭素を使用し、薄膜形成時に、薄膜形成に使用される反応室の内壁の少なくとも一部を、薄膜堆積のための活性種の付着係数が0となる温度以上に加熱することを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (4件)：

C23C 16/26 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/31

FI (4件)：

C23C 16/26 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/31 C