特許

J-GLOBAL ID：200903096618085263

半導体装置およびその製造方法

発明者： 赤坂 泰志 ,  中嶋 一明 ,  宮野 清孝 ,  須黒 恭一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-021237
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213655
出願日： 1996年02月07日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】ゲート耐圧の低下を防止できるポリサイドゲートを提供すること。【解決手段】多結晶シリコン膜4と、この多結晶シリコン膜4上に形成されたWSix 膜5と、このWSix 膜5の表面に形成されたシリコンイオン注入層6とによりWSix ポリサイドゲートを構成する。

請求項（抜粋）：

シリコン膜と、このシリコン膜上に形成された高融点金属シリサイド膜と、この高融点金属シリサイド膜の表面に形成されたシリコンイオン注入層とからなる配線および電極の少なくとも一方を具備してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 21/28 301 D ,  H01L 21/88 Q ,  H01L 27/08 102 C ,  H01L 29/78 301 G