特許

J-GLOBAL ID：200903096630255034

処理装置及び処理方法

発明者： 近藤 智美 ,  木村 英利
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-336206
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156044
出願日： 1999年11月26日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】 ダイポールリングマグネット(DRM)を備えた処理装置において、当該処理装置の近傍及び所定距離離れた位置に対する漏れ磁場を十分低下させることのできる処理装置や処理方法を提供する。【解決手段】 プラズマ発生装置を備えた処理チャンバ3の外周をダイポールリングマグネット(DRM)40が回転する処理装置1において、前記ダイポールリングマグネット40の外周を覆う略円柱形のシールド板60を、前記ダイポールリングマグネット40と同軸上で前記ダイポールリングマグネット40とは反対方向に回転させることにより前記ダイポールリングマグネット40の外側に発生する漏洩磁場を打ち消す方向の磁場を形成せしめ、それにより前記ダイポールリングマグネット40の外側に発生する漏洩磁場を相殺せしめる。

請求項（抜粋）：

被処理基板に処理を行う処理チャンバと、前記処理チャンバ内にプラズマを発生させる手段と、前記処理チャンバの外周に沿って複数の磁石を円周上に配設してなり、一の方向に回転するダイポールリングマグネットと、前記ダイポールリングマグネットの外周を覆うシールド板と、前記シールド板を前記ダイポールリングマグネットと同軸上で前記ダイポールリングマグネットとは反対方向に回転させる手段と、を具備することを特徴とする処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  B01J 19/08 ,  C23C 14/35 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/205

FI (5件)：

B01J 19/08 E ,  C23C 14/35 B ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 C

Fターム (36件)：

4G075AA22 ,  4G075AA25 ,  4G075AA61 ,  4G075BC02 ,  4G075BC04 ,  4G075CA12 ,  4G075CA42 ,  4G075CA47 ,  4G075CA65 ,  4G075DA01 ,  4G075EA01 ,  4G075EB01 ,  4G075EB41 ,  4G075ED01 ,  4G075ED08 ,  4K029DC20 ,  4K029DC42 ,  4K029DC45 ,  4K029EA00 ,  4K030FA01 ,  4K030KA12 ,  4K030KA34 ,  4K030KA39 ,  4K030KA41 ,  5F004AA16 ,  5F004BA08 ,  5F004BB08 ,  5F004BB13 ,  5F004BB22 ,  5F004BB29 ,  5F045AA08 ,  5F045AA19 ,  5F045BB01 ,  5F045BB20 ,  5F045EH16 ,  5F045HA24