特許
J-GLOBAL ID：200903096631202333
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-191986
公開番号（公開出願番号）：特開平9-102619
出願日： 1996年07月22日
公開日（公表日）： 1997年04月15日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、順方向電圧を犠牲にせずに短いスイッチング時間を有するショットキーダイオードのような半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体基板1 とその上に付着されたエピタキシャル層2, 3とを具備し、エピタキシャル層2, 3がパタ-ン化絶縁層4 によって覆われ、金属層5 がパタ-ン化絶縁層4 上に形成され、エピタキシャル層は第1のエピタキシャル層2 と第2のエピタキシャル層3 とで構成され、半導体基板1 と隣接する第1のエピタキシャル層2 は第2のエピタキシャル層3 と同じ導電型であるが、それより高いド-プ濃度を有しており、それによって静電容量を減少さていることを特徴とする。半導体基板1 と第1、第2のエピタキシャル層2, 3は同じ材料から製造され、半導体基板1 は第1のエピタキシャル層2 と同じ導電型であるが、それより高いド-プ濃度を有している。
請求項（抜粋）：
半導体基板とその上に付着されたエピタキシャル層とを具備し、エピタキシャル層がパタ-ン化絶縁層によって覆われ、金属層がパタ-ン化絶縁層上に形成されている半導体装置において、エピタキシャル層は第1のエピタキシャル層と第2のエピタキシャル層とを具備し、半導体基板と隣接する第1のエピタキシャル層は第2のエピタキシャル層と同じ導電型であるが、それより高いド-プ濃度を有していることを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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