特許

J-GLOBAL ID：200903096633539904

窒化ガリウム単結晶の育成方法および窒化ガリウム単結晶

発明者： 岩井 真 ,  今井 克宏 ,  今枝 美能留
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社
代理人 (2件)： 細田 益稔 ,  青木 純雄
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2005006692
公開番号（公開出願番号）：WO2005-095682
出願日： 2005年03月30日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：

Naフラックス法によって窒化ガリウム単結晶を育成するのに際して、良質の窒化ガリウム単結晶を生産性よく育成可能な方法を提供する。少なくともナトリウム金属を含むフラックス8を使用して窒化ガリウム単結晶を育成する。窒素ガスを含む混合ガスBからなる雰囲気下で、全圧300気圧以上、2000気圧以下の圧力下で窒化ガリウム単結晶を育成する。好ましくは、雰囲気中の窒素分圧が100気圧以上、2000気圧以下である。好ましくは、育成温度が1000°C以上、1500°C以下である。

請求項（抜粋）：

少なくともナトリウム金属を含むフラックスを使用して窒化ガリウム単結晶を育成する方法であって、 窒素ガスを含む混合ガスからなる雰囲気下で、全圧300気圧以上、2000気圧以下の圧力下で前記窒化ガリウム単結晶を育成することを特徴とする、窒化ガリウム単結晶の育成方法。

IPC (2件)：

C30B 29/38 ,  C30B 19/02

FI (2件)：

C30B29/38 D ,  C30B19/02

Fターム (13件)：

4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077CG02 ,  4G077CG06 ,  4G077EA01 ,  4G077EA04 ,  4G077EA06 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077QA04 ,  4G077QA12 ,  4G077QA38