特許
J-GLOBAL ID：200903096636171967
半導体素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-214281
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054666
出願日： 1997年08月08日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：
【要約】【課題】 熱圧着時にボンドが這い上って吸着ツールに付着することのない半導体素子を提供することを目的とする。【解決手段】 ボンド5を用いて熱圧着により基板3に実装される半導体素子1において、半導体素子1本体の側面に這い上り阻止部6を形成する。このボンド1の這い上がりは、ボンド1が熱圧着時に加熱され熱硬化直前に粘度が低下して表面張力により半導体素子1の側面に付着して上昇することに起因し、この這い上がりを半導体素子1側面の形状を変化させて阻止するものである。這い上がり阻止部6の形状としては、段付き形状や、テーパ形状などがあり、これにより熱圧着時に半導体素子1を伝ってボンド5が這い上って圧着ツール7の下面に付着するのを防止することができる。
請求項（抜粋）：
ボンドにより基板に固着され、下面に形成されたバンプを基板の電極に導通させることによって基板に実装される半導体素子であって、側面に前記ボンドの熱圧着時の這い上りを阻止する這い上り阻止部が形成されていることを特徴とする半導体素子。
IPC (2件)：
H01L 23/28
, H01L 21/60 311
H01L 23/28 C
, H01L 21/60 311 Q
