特許

J-GLOBAL ID：200903096637836652

レジストの露光方法

発明者： 大木 裕史
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 猪熊 克彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-180876
公開番号（公開出願番号）：特開平9-007935
出願日： 1995年06月23日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】集積度の高いICを製造することができるレジストの露光方法を提供する。【構成】入射光の強度に応じて光透過率が増大する薄膜5をレジスト6上に塗布し、該薄膜5に光スポットを照射して薄膜5の光透過率を局所的に増大させ、光スポットとレジスト6とを相対的に走査することによって薄膜5の光透過率増大部5aを所望のパターンに形成し、薄膜5の光透過率増大部5aを通してレジスト6を露光することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

入射光の強度に応じて光透過率が増大する薄膜をレジスト上に塗布し、該薄膜に光スポットを照射して薄膜の前記光透過率を局所的に増大させ、前記光スポットと前記レジストとを相対的に走査することによって薄膜の前記光透過率増大部を所望のパターンに形成し、薄膜の前記光透過率増大部を通して前記レジストを露光するレジストの露光方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/11 501 ,  G03F 7/20 521

FI (5件)：

H01L 21/30 502 A ,  G03F 7/11 501 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 514 C ,  H01L 21/30 573