特許

J-GLOBAL ID：200903096637938595

断熱構造及びその製造方法

発明者： 蒲原 敦彦 ,  山岸 秀章
出願人/特許権者： 横河電機株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 正康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-009976
公開番号（公開出願番号）：特開平9-205083
出願日： 1996年01月24日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：

【要約】【課題】 感熱センサをシリコン基板等の上に取り付ける場合には、一般の電子回路素子を取り付ける場合に比べて、シリコン基板等から伝わる熱を可能な限り遮断する必要がある。シリコン酸化膜(SiO2)やシリコン窒化膜(Si3N4)を用いた従来の断熱構造に代わってより断熱効果の高い断熱構造を実現する。【解決手段】 マイクロマシニングに使用されるパターニング及びエッチングの技術を利用して、熱伝導率の低いポリイミド薄膜の中へ空気層を形成してより高い断熱構造を実現する。(1)断熱構造の形成方法は、シリコン基板上にアルミ薄膜の犠牲層を設け、その表面をポリイミド樹脂でコーテイングし、次に前記のアルミ薄膜の犠牲層をエッチングにより除去して、1層乃至複数の空気層を形成して、前記の基板上にポリイミド樹脂と空気層とからなる断熱層を形成することを特徴とする。(2)前記の空気層の厚さを空気の平均自由工程より短くして、より断熱効果の大きい断熱構造を形成する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板の上にポリイミド樹脂を使用して形成した断熱層の内部に所定の形状の空気層を設け、この空気層の厚さを空気の平均自由工程より短くしたことを特徴とする断熱構造

IPC (4件)：

H01L 21/312 ,  F16L 59/06 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 23/34

FI (4件)：

H01L 21/312 B ,  F16L 59/06 ,  H01L 23/34 Z ,  H01L 21/302 J