特許

J-GLOBAL ID：200903096638760900

半導体装置およびその製造方法

発明者： 三宅 雅保 ,  中山 諭 ,  小林 敏夫
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-158660
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031931
出願日： 1994年07月11日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】【目的】 不純物の相互拡散の影響のないポリサイドゲート構造を有する半導体装置およびその製造方法を実現可能にする。【構成】 ポリサイドゲート構造におけるリンドープポリシリコン層8,ボロンドープポリシリコン層9とタングステンシリサイド層11との間に窒素ドープ非晶質シリコン層10を挟み、リンドープポリシリコン層8およびボロンドープポリシリコン層9中の不純物がタングステンシリサイド層11中を通して相互に拡散しない構造とした。

請求項（抜粋）：

第1の導電型を有する第1の半導体層と第2の導電型を有する第2の半導体層とが金属シリサイド配線により接続されてなる半導体装置において、前記金属シリサイド配線と前記第1の半導体層または前記金属シリサイド配線と前記第2の半導体層とが窒素を添加したシリコン層を介して接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/43

FI (4件)：

H01L 21/90 D ,  H01L 21/88 Q ,  H01L 27/08 321 F ,  H01L 29/46 A