特許
J-GLOBAL ID：200903096640653208
集積回路及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
▲柳▼川 信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-051397
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244252
出願日： 1993年02月17日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：
【要約】【目的】 オンウエハによる高周波特性の測定を容易にする。【構成】 半導体ウエハ基板上の回路の表面上の端子1,4と裏面上の端子6,7とを電気的に接続するバイアホール3,5を、スクライブ領域2に設ける。裏面上の端子6,7を用いて回路の高周波特性を測定して、この測定後にスクライブ領域2により基板を切断してチップ化する。【効果】 高周波特性の測定が容易になる。測定後の基板切断の際にはバイアホール3,5が除去され、チップ化後の特性上の影響がない。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハ基板のスクライブ領域に設けられ前記基板の一主表面上の電極と他主表面上の電極とを電気的に接続する貫通孔を有し、前記他主表面上の電極を用いて自回路の電気的特性を測定するようにしたことを特徴とする集積回路。
引用特許：
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