非線形歪補償回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-018058
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235646
出願日： 1992年02月04日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】【目的】非線形歪補償回路において、補償すべき高周波増幅器の入力レベルと歪とに応じて、最適のレベルと歪とを発生する非線形歪補償回路を提供する。【構成】非線形歪補償器1の出力端に方向性結合器2が接続され、その一方の出力端5が検波器3に接続され、その出力電圧がバイアス制御回路4に供給され、この制御回路4の出力電圧が歪発生用GaAs・FET8のバイアス電圧を制御して最適の歪を発生することができる。

請求項（抜粋）：

バイアス電圧で制御される電界効果半導体素子を非線形素子とする非線形歪補償器と、前記非線形歪補償器の出力端に接続される方向性結合器と、この方向性結合器の一方の出力端に接続される検波器と、この検波器の出力端に接続されるバイアス制御回路と、このバイアス制御回路の出力であるバイアス電圧が前記非線形歪補償器内の電界効果半導体素子に印加されていることを特徴とする非線形歪補償回路。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭54-083742
特開昭60-157305
特開平2-056106

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