特許

J-GLOBAL ID：200903096641967672

ヒューズ層を有する半導体装置

発明者： 西村 安正 ,  伊藤 慶子 ,  竹岡 浩幸 ,  丸田 昌直 ,  森安 雅治
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-012778
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213804
出願日： 1996年01月29日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】 製造コストを低減でき、かつ安定してヒューズブローを行なうことが可能となる、ヒューズ層を有する半導体装置を提供する。【解決手段】 ヒューズ層2の直上に位置する絶縁層3bの破壊圧力Pを、ヒューズ層2の平面幅Wと、絶縁層3bの厚みtとを用いて規定した。そして、破壊圧力Pの値が、たとえば約1000kg/cm2 以下となるように、ヒューズ層2の平面幅Wの値と、絶縁層3bの厚みtの値とを設定する。また、t/Wの値が0.45以上0.91以下となるように、厚みtの値と平面幅Wの値とをそれぞれ設定する。

請求項（抜粋）：

冗長回路と、前記冗長回路を制御するヒューズ層と、前記ヒューズ層を覆うように形成され、約1μm以上の厚みを有する絶縁層とを備え、前記絶縁層の厚みをtとし、前記ヒューズ層の平面幅をWとした場合、t/Wの値が0.45以上0.91以下であることを特徴とする、ヒューズ層を有する半導体装置。

FI (2件)：

H01L 21/82 F ,  H01L 21/82 R