特許

J-GLOBAL ID：200903096649973744

4H型単結晶炭化珪素の製造方法

発明者： 大谷 昇 ,  勝野 正和 ,  尾上 浩三 ,  矢代 弘克 ,  金谷 正敏
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-319959
公開番号（公開出願番号）：特開平9-157091
出願日： 1995年12月08日
公開日（公表日）： 1997年06月17日
要約：

【要約】【課題】 この発明は、4H型単結晶炭化珪素を再現性よく成長させる方法を提供することをその目的とする。【解決手段】 種結晶を用いた昇華再結晶法により単結晶炭化珪素を成長させる際に、炭素原子位置に不純物を5×1018cm-3以上導入する。

請求項（抜粋）：

種結晶を用いた昇華再結晶法により単結晶炭化珪素を成長させる際に、炭素原子位置に不純物を5×1018cm-3以上導入することを特徴とする4H型単結晶炭化珪素の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/36 ,  C30B 23/00 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

C30B 29/36 A ,  C30B 23/00 ,  H01L 33/00 A

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特表平3-501118
  
• n型炭化珪素単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-293268   出願人：シャープ株式会社
• SiC単結晶の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-042708   出願人：新日本製鐵株式会社
• 4H形炭化珪素単結晶の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-126463   出願人：新日本製鐵株式会社

審査官引用 (1件)

• 特表平3-501118