特許

J-GLOBAL ID：200903096651638294

半導体装置およびその製造方法

発明者： 塩澤 順一 ,  綱島 祥隆 ,  奥村 勝弥
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-117161
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012859
出願日： 1999年04月23日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】高所のソース/ドレイン領域をもつ半導体装置の製造において、Siの小面形成を避け得、かつ非晶質Si膜を変換し形成されたポリSi膜を完全に除去できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板に分離構造117を形成して活性領域を限定し、活性領域の表面から絶縁されたゲート構造を形成し、非晶質Si膜をゲート構造や基板表面及び分離構造に形成し、非晶質Si膜の第1部分をエピタキシャル膜145に、非晶質Si膜の第2部分をポリSi膜143に変換する。ポリSi膜は全体に不純物を拡散し、エピタキシャル膜には上部表面部分のみに不純物を拡散し、不純物ドープしたポリSi膜及びエピタキ膜の上部表面部分を酸化して酸化膜を形成し、エピタキ膜が半導体基板の活性領域に残るように酸化膜を除去し、次でトランジスタのソース及びドレイン領域を基板の活性領域に形成する。

請求項（抜粋）：

分離構造により第一導電型の半導体基板内に限定された活性領域に形成された第二導電型の拡散領域と、前記拡散領域の相互間のチャンネル領域から絶縁されて配置され、少なくともゲート電極を有するゲート構造と、前記ゲート構造の側壁に形成された側壁絶縁膜と、前記分離構造と部分的に重なるように前記各拡散領域上に形成された単結晶シリコン層とを具備したことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/285 301

FI (2件)：

H01L 29/78 301 S ,  H01L 21/285 301 T