磁界感知装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：酒井宏明
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-567284
公開番号（公開出願番号）：特表2006-514272
出願日： 2003年01月31日
公開日（公表日）： 2006年04月27日
要約：

磁界感知装置は、単一層超電導薄膜からエッチングにより作出された経路幅(d)の閉じた超電導ピックアップ・ループ(1)を備え、前記経路幅よりも狭い幅(w)を持つくびれ(15)を設けられている。前記閉じた超電導ピックアップ・ループ(1)は磁束-磁界変成器(FFDT)を構成する。前記超電導薄膜の上または下に少なくとも1つの磁気抵抗素子(2)を配置し、前記超電導薄膜からは薄い絶縁層により隔離され、そして前記磁気抵抗素子の活性部分がくびれ(15)の位置にあるとともに、くびれ(15)の幅に等しいかまたは小さい幅を有するように配置される。磁気抵抗素子(2)の活性部分はその中のバイアス電流が本質的にくびれ(15)に沿って、狭い幅に直交する向きに配向されている。

請求項（抜粋）：

厚さ(e1)の単一層超電導薄膜からエッチングにより作出された経路幅(d)の閉じた超電導ピックアップ・ループ(1;101;201)を備え、前記経路幅よりも狭い幅(w)を持つくびれ(15;115;215)を設けられ、前記閉じた超電導ピックアップ・ループ(1;101;201)は磁束-磁界変成器(FFDT)を構成し、かつ、前記超電導薄膜の上または下に少なくとも1つの磁気抵抗素子(2)を配置し、前記超電導薄膜からは前記幅(w)よりも小さい厚さ(e4)の薄い絶縁層(4)により隔離され、そして前記磁気抵抗素子(2)の活性部分が前記くびれ(15;115;215)の位置にあるとともに、前記くびれ(15;115;215)の幅(w)に等しいかまたは小さい幅(WGMR)を有するように配置され、前記磁気抵抗素子(2)の活性部分はその中のバイアス電流が本質的に前記くびれ(15;115;215)に沿って、前記狭い幅(w)に直交する向きに配向されている磁界感知装置。

IPC (3件)：

G01R 33/09 , H01L 43/08 , H01L 39/22

FI (3件)：

G01R33/06 R , H01L43/08 Z , H01L39/22 D

Fターム (5件)：

2G017AA10 , 2G017AD55 , 4M113AA00 , 4M113AC06 , 4M113AC46

引用特許：

出願人引用 (2件)

ドイツ国特許第19944586号明細書
ドイツ国特許第10041797号明細書

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