特許
J-GLOBAL ID:200903096663389265

高周波素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 前田 弘 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-168996
公開番号(公開出願番号):特開平7-030029
出願日: 1993年07月08日
公開日(公表日): 1995年01月31日
要約:
【要約】【目的】 半導体素子のチップ面積を増大させることなく且つ製造工数を増加させることなく整合回路を構成することができる高周波素子を提供する。【構成】 高周波素子のパッケージ7内において、金属コム1aの一端部には、その一端部に切り込みを入れることによって、金属コム1aの幅よりも狭い幅の帯状部がコイル2として形成され、上記帯状部の幅よりも広い幅の矩形板状部が容量3の一方の電極として形成されている。容量3は、上記一方の電極と金属コム1bのソース部の一部からなる他方の電極と上記一方及び他方の電極の間に設けられた誘電体6とで構成されている。そして、コイル2と容量3とにより半導体素子4の入出力を整合させる整合回路が構成される。
請求項(抜粋):
パッケージと該パッケージの内部から外部に亘って設けられた金属コムとを備えた高周波素子において、上記金属コムにおける上記パッケージ内の部位には、当該部位にその幅よりも狭い幅の帯状部と該帯状部の幅よりも広い幅の板状部とが形成されるように当該部位が切り込まれることによって、上記帯状部からなるインダクタンス手段と上記板状部からなる容量手段とが設けられていることを特徴とする高周波素子。
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 特開平2-143450
  • 特開平2-198158
  • 特開平4-212440

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