特許
J-GLOBAL ID：200903096665351044
高周波高出力トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-019114
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267956
出願日： 1992年02月04日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】【目的】 個々のトランジスタセル6内各部分を均一に動作させることによって、高周波高出力トランジスタの性能の向上をはかる。【構成】 RFシヤント型内部整合回路を構成するMOS型コンデンサ8、30と、トランジスタチップ5をダイボンドしたコレクタパッド4とを接続するRFシヤント用ワイヤ25、26を、トランジスタセル6の出力リード12側および入力リード10側に対称的に、かつ同一長として設け、トランジスタセル6内の各部に対するRFシヤント用ワイヤ25、26の作用が均一になる構造とする。
請求項（抜粋）：
パッケージと、このパッケージ内に配置されたトランジスタチップおよびMOS型コンデンサとを有し、上記トランジスタチップとMOS型コンデンサとはワイヤにより相互接続されて出力側にRFシヤント型の内部整合回路を構成し、上記ワイヤは、上記トランジスタチップ内の各トランジスタ部分に対して特性的に均一に作用するように、上記トランジスタチップの入力側部分と出力側部分に対し実質的に対称的にかつ接続長が実質的に同一長となるように配設されていることを特徴とする、高周波高出力トランジスタ。
IPC (2件)：
引用特許：
審査官引用 (2件)
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特開昭62-292007
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特開昭56-064459
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