特許

J-GLOBAL ID：200903096668413091

半導体装置及びその製造方法

発明者： 寺島 克司
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-052107
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259201
出願日： 1992年03月11日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：

【要約】【目的】セラミックパッケージ搭載の大型ICチップが封止等の熱履歴によって起こるICチップ接着層の強度劣化を防ぎ、且つ低温焼成・硬化の可能な接着層が得られる。【構成】セラミックパッケージ1の素子載置部に設けたメタライズ層4の上にAg微粉末と低融点で且つ金属微粉末とも結合の良い共晶合金微粉末またははんだ合金の微粉末と低融点ガラスの粉末を主成分とするペーストを塗布して焼成し、接着層3を形成することにより、低温焼成で高耐熱,高接着力低熱抵抗の接着層を有する半導体装置を実現できる。

請求項（抜粋）：

セラミックパッケージの素子載置部上に接着層を介してマウントしたICチップを有する半導体装置において、前記接着層がAgと、低融点の共晶合金及び半田合金の内の少くとも1種類と、低融点ガラスを含むことを特徴とする半導体装置。