特許

J-GLOBAL ID：200903096668992652

不揮発性半導体メモリ装置

発明者： 今泉 正人
出願人/特許権者： 日本鋼管株式会社
代理人 (1件)： 瀧野 秀雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-166478
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031190
出願日： 1994年07月19日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 不揮発性半導体メモリ装置の使用時に発生するメモリ素子の欠陥、特に、情報の書き込み時に発生する書き込み不良を救済する。【構成】 主メモリ領域1に欠陥アドレスが発生した場合、そのアドレスが新たな欠陥アドレスであるか否かを、不良アドレスメモリ6に蓄積した内容を読み出して判定し、新たな欠陥アドレスであれば、その欠陥アドレスを不良アドレスメモリ6に記憶して、そのアドレスに対応するデータを冗長メモリ領域2に記憶してベリファイ動作を行って自動書き込みを行うとともに、任意のアドレス入力信号が蓄積された欠陥アドレスであるか否かを第二制御回路9によって不良アドレスメモリ6の内容を読み出して判定し、すでに記憶された欠陥アドレスであれば、第三制御回路12を介してアドレスサブデコーダ4を主メモリ領域1から冗長メモリ領域2に切り替えてデータを読み出すようにする。

請求項（抜粋）：

不揮発性半導体メモリ装置に於いて、主メモリ領域に発生する欠陥アドレスを記憶する第1記憶手段と、アドレス信号の入力に対し、該アドレス信号が既に欠陥アドレスとして前記第1記憶手段によって記憶されているか否かを判断する判定手段と、前記判定手段によって新たな欠陥アドレスであると判定された場合、冗長メモリ領域に記憶する第2記憶手段と、を具備することを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。

IPC (3件)：

G11C 16/06 ,  G06F 12/16 310 ,  G11C 29/00 301