特許
J-GLOBAL ID：200903096676001550
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-012270
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206453
出願日： 1992年01月27日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：
【要約】【目的】 ホットキャリア耐性の優れたゲート絶縁膜を形成する。【構成】 炭素原子と、窒素、フッ素および塩素のうち少なくとも1種以上の原子とを含む酸化膜を用いる。このようなゲート酸化膜は、半導体基板2を熱酸化する際の雰囲気ガス中に炭素を含んだ化合物および窒素原子やハロゲン原子を含んだ化合物を混在させることで形成される。
請求項（抜粋）：
ゲート絶縁膜を含む半導体装置において、ゲート絶縁膜が、炭素原子と、窒素、フッ素および塩素のうち少なくとも1種以上の原子とを含む酸化膜よりなることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/784
, H01L 21/316
, H01L 29/62
